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Typical Characteristics
1.2
200
V GS = 10V
1.0
150
0.8
0.6
100
CURRENT LIMITED
0.4
0.2
50
BY PACKAGE
0.0
0
25
50 75 100 125 150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.01
NOTES:
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4 -3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0
1
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
5000 5000
1000 1000
= =
V GS V GS 10V 10V TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 - T C
I = I 2
150
100 100
10 10
10 10 -5
10 10 -4
10 10 -3
10 10 -2
10 10 -1
10 1
10 10
SINGLE PULSE
-5 -4
-3 -2 -1
t,
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
0
1
Figure 4. Peak Current Capability
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8443 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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